| Zum besseren Verständnis des Geschäftsmodells der SiC bietet sich ein kurzer Blick auf das technische Verfahren, das der Waferherstellung zu Grunde liegt, an. In dem derzeit gängigen Verfahren der Waferherstellung wird zunächst Reinsilizium aus Quarz gewonnen und anschließend zu Siliziumblöcken oder Siliziumstäben, so genannten Ingots, gegossen oder gezogen. Diese Ingots werden mittels eines mechanischen Sägeprozesses zu Siliziumscheiben, so genannte Wafer, zersägt. Dieser mechanische Sägeprozess erfolgt nach heutigem Stand der Technik ganz überwiegend mittels eines Stahlsägedrahtes, der mit hoher Geschwindigkeit von einer Rolle auf eine zweite Rolle abgespult wird. Der Ingot ist dabei auf eine Glasplatte geklebt, mit der er durch die Säge geschoben wird. Neben dem Sägedraht wird eine Sägesuspension bestehend aus Siliziumcarbid als Sägehilfsmittel und Glykol oder Öl als Kühl- und Trägermittel für das Siliziumcarbid eingesetzt. Die Sägesuspension wird auf den sich abrollenden Stahlsägedraht gegeben, wobei das Siliziumcarbid als relativ hartes Element die eigentliche Säge- leistung erbringt und der Sägedraht lediglich das Siliziumcarbid transportiert. Die verwendete Sägesuspension muss nach mehrmaliger Anwendung ausgewechselt und entweder entsorgt oder aufbereitet werden. Die SiC-Gruppe führt diese Aufbe- reitung der benutzten Sägesuspensionen in einem Verfahren zur Rückgewinnung der Inhaltsstoffe Siliziumcarbid und Glykol durch. Das nachfolgende Schaubild zeigt das Prinzip der Drahtsägetechnik bei der Waferherstellung. |
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